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TAV1-541+

低噪声,高电流 F-PHEMT 晶体管,电流:60mA,耐压:5V

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品牌名称
Mini-Circuits
商品型号
TAV1-541+
商品编号
C3280342
商品封装
SMD-4P​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)5V
连续漏极电流(Id)120mA
属性参数值
耗散功率(Pd)360mW
阈值电压(Vgs(th))380mV
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

TAV1-541+ 是一款采用 E-PHEMPT* 技术制造的低噪声、高 IP3 晶体管器件,可在单正电源电压下工作。它具有出色的噪声系数,特别是在 2.5 GHz 以下,当在单个器件中将该噪声系数与 IP3 性能相结合时,使其成为多种应用的理想放大器。

商品特性

  • 低噪声系数,0.4 dB
  • 增益,在 0.9 GHz 时典型值为 24 dB
  • 高输出 IP3,在 2 GHz、60 mA、4 V 条件下为 +32 dBm
  • 1 dB 压缩点输出功率,在 60 mA、4 V 条件下为 +21 dBm
  • 宽带宽
  • 需要外部偏置和匹配
  • 增强型赝配高电子迁移率晶体管
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 蜂窝通信
  • 工业、科学和医疗频段(ISM)
  • 全球移动通信系统(GSM)
  • 宽带码分多址(WCDMA)
  • 全球微波互联接入(WiMax)
  • 无线局域网(WLAN)
  • 无许可国家信息基础设施(UNII)和高性能无线局域网(HIPERLAN)

数据手册PDF