NTK3134NT1H
N沟道,电流:890mA,耐压:20V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- NTK3134NT1H
- 商品编号
- C3280282
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 890mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 550mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，封装为无引脚超小型 DFN1006-3 (SOT883) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on))的 N 沟道开关
- 与 SC89 相比,占位面积减小 44%,厚度降低 38%
- 低阈值电平,支持 1.5 V 导通电阻(RDS(on))额定值
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合 RoHS 标准
应用领域
-负载/电源开关-接口开关-逻辑电平转换-超小型便携式电子设备的电池管理