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NX5008NBKMYL
1个N沟道 耐压:50V 电流:350mA
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- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用无铅超小型 DFN1006-3 (SOT883) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- NX5008NBKMYL
- 商品编号
- C3280284
- 商品封装
- DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.102克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 29pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽式MOSFET技术
- 极快的开关速度
- 4.5V驱动
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 开关电路
- 高端负载开关
- 继电器驱动器