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2N7002KV-TP
2个N沟道 耐压:60V 电流:0.34A
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- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现低RDS(on)。 电压控制小信号开关。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级1。 无卤“绿色”器件。 无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）。 ESD防护高达2 kV（HBM）
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- 2N7002KV-TP
- 商品编号
- C3280278
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
FDS6676S 旨在取代同步 DC-DC 电源中的单个 SO-8 MOSFET 和肖特基二极管。这款 30V MOSFET 旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。FDS6676S 采用仙童半导体的单片同步场效应晶体管（SyncFET）技术，集成了一个肖特基二极管。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 4.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)）为 9.0mΩ
- 14.5A、30V。栅源电压（VGS） = 10V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)）为 7.5mΩ
- 包含同步场效应晶体管（SyncFET）肖特基体二极管
- 低栅极电荷（典型值为 43nC）
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和快速开关
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-DC/DC 转换器-电机驱动器