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DMG1012T-13
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.63A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 ESD防护高达2kV。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG1012T-13
- 商品编号
- C3280264
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 630mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 736.6pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60.67pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 9.68pF |
商品概述
采用带陶瓷帽的2引脚法兰封装（SOT502A）的硅N沟道增强型横向D-MOS晶体管。公共源极连接到法兰。
商品特性
- 高功率增益
- 易于功率控制
- 出色的耐用性
- 安装底座上的源极无需直流隔离器，降低了共模电感。
应用领域
- 频率范围为1200至1400 MHz的L波段雷达应用。