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XP231N02013R-G实物图
  • XP231N02013R-G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

XP231N02013R-G

N沟道MOSFET,电流:0.2A,耐压:30V

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品牌名称
TOREX(特瑞仕)
商品型号
XP231N02013R-G
商品编号
C3280233
商品封装
SOT-323-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.029克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on))5Ω@4.5V
耗散功率(Pd)350mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.8V@250uA
栅极电荷量(Qg)180pC@10V
输入电容(Ciss)6.5pF@10V
反向传输电容(Crss)1.2pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 超低导通电阻,效率更高
  • 下降的导通电阻 RDS(on) = 0.215 Ω,栅源电压 VGS = 10 V
  • 下降的导通电阻 RDS(on) = 0.245 Ω,栅源电压 VGS = 5.0 V
  • 低反向恢复损耗
  • 内部栅极电阻 R_G = 50 Ω
  • 漏源极截止电流 IDSS 和导通电阻 RDS(on) 在高温下有规定值
  • 规定了雪崩能量
  • 微型 SO-8 表面贴装封装,节省电路板空间
  • 提供无铅封装

应用领域

  • 集成启动发电机
  • 电子助力转向
  • 电子燃油喷射
  • 催化转化器加热器

数据手册PDF