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SI3139KDWA-TP
P沟道,电流:0.6A,耐压:20V
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- SI3139KDWA-TP
- 商品编号
- C3280239
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 860pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品概述
这些双 N 沟道和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低。该器件是一种改进设计，特别适用于低电压应用，可替代负载开关应用中的双极型数字晶体管。由于无需偏置电阻，这种双数字 FET 可替代多个带有不同偏置电阻的数字晶体管。
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on))的P沟道开关
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤“绿色”器件
- 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准)