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DMN3401LDW-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN3401LDW-13

2个N沟道 耐压:30V 电流:0.8A

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描述
该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN3401LDW-13
商品编号
C3280241
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.016克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)800mA
导通电阻(RDS(on))700mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)350mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)1.2nC@10V
输入电容(Ciss)50pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

-双N沟道MOSFET-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-静电放电保护栅极-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件

应用领域

-电机控制-电源管理功能-DC-DC转换器

数据手册PDF