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DMN63D8LDWQ-7
2个N沟道 耐压:30V 电流:260mA
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN63D8LDWQ-7
- 商品编号
- C3280237
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@4.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 870pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 静电放电（ESD）防护高达1.5KV（人体模型HBM）
- 极低阈值电压
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准，详见订购信息）