XP231P02013R-G
P沟道MOSFET,电流:-0.2A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- TOREX(特瑞仕)
- 商品型号
- XP231P02013R-G
- 商品编号
- C3280234
- 商品封装
- SOT-323-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 34pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道逻辑电平MOSFET采用仙童（Fairchild）先进的PowerTrench工艺制造，针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 导通电阻:在VGS = - 4.5 V时,RDS(on) = 5 Ω
- 驱动电压:-2.5V
- 环保:符合欧盟RoHS标准,无铅
应用领域
-开关应用
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