温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN3067LW-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3067LW-13
- 商品编号
- C3280228
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 447pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET的设计旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-小型表面贴装封装-栅极具备ESD保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 开关应用-电源管理功能