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SI3134KWA-TP
N沟道,电流:0.75A,耐压:20V
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- SI3134KWA-TP
- 商品编号
- C3280219
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻(RDS(ON))的N沟道开关
- 低逻辑电平栅极驱动操作
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤“绿色”器件
- 无铅涂层/符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制-电源管理功能-背光照明