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FDN537N
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺制造，该工艺在导通电阻rDS(on)、开关性能和耐用性方面进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN537N
- 商品编号
- C3280165
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 465pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 逻辑电平栅极驱动
- 低输入电容
- 快速开关时间
- 符合RoHS（无豁免）、REACH、冲突矿物法规
- 逻辑电压驱动
- 低输入电容
- 快速开关时间
- 符合RoHS（无豁免）、REACH、冲突矿物法规
应用领域
- 信号处理
- 驱动器
- 逻辑电平转换器
- 商用/工业级
- 信号处理
- 驱动级
- 标准型逻辑电平转换器