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FDC8884
1个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺制造，该工艺针对导通电阻（rDS(on)）和开关性能进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC8884
- 商品编号
- C3280211
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 465pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
RM4P30S6是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 RM4P30S6符合RoHS和绿色产品要求，具备完整的可靠性认证。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术-无卤-P/N后缀V表示符合AEC-Q101标准,例如:RM4P30S6V