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SIL2305B-TP
P通道MOSFET,电流:3.4A,耐压:20V
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- SIL2305B-TP
- 商品编号
- C3280214
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 109pF |
商品概述
这些P沟道MOSFET采用先进的处理技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于电池和负载管理应用。 Micro6™封装采用定制化引线框架，生产出的HEXFET®功率MOSFET的导通电阻（RDS(on)）比同等尺寸的SOT - 23封装低60%。该封装非常适合印刷电路板空间有限的应用。独特的散热设计和导通电阻的降低使得与SOT - 23封装相比，电流处理能力提高了近300%。
商品特性
- 低漏源导通电阻RDS(ON)
- 防潮等级1级
- 无卤,“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准)