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FDC658AP
1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 这款P沟道逻辑电平MOSFET采用安森美半导体（onsemi）先进的POWERTRENCH工艺制造。它针对电池电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC658AP
- 商品编号
- C3280198
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 在 VGS = -10 V、ID = -4 A 条件下,最大 RDS(on) = 50 m Ω
- 在 VGS = -4.5 V、ID = -3.4 A 条件下,最大 RDS(on) = 75 mΩ
- 低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(on)
- 无铅、无卤,符合RoHS标准
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护-DC-DC转换