FDC658AP
1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDC658AP商品编号
C3280198商品封装
SuperSOT-6包装方式
编带
商品毛重
0.042633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V,4A | |
| 功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.1nC@15V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 680pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 90pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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