SI3455DV
单个P沟道,电流:-3.6A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI3455DV
- 商品编号
- C3280210
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 298pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道1.8V特定MOSFET采用了仙童（Fairchild）的低压PowerTrench工艺，针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -3.6 A,-30 V。在VGS = -10 V时,RDS(ON) = 75 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 125 mΩ
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护