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FDC5614P
1个P沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- 这款60 V P沟道MOSFET采用了安森美半导体（onsemi）的高压POWERTRENCH工艺，针对电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC5614P
- 商品编号
- C3280207
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 759pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺针对导通电阻（rDS(on)）和开关性能进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 6.5 A时，最大导通电阻（rDS(on)）为23 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 6.0 A时，最大导通电阻（rDS(on)）为30 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻（rDS(on)）
- 快速开关速度
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主开关