SI3454DV
N沟道,电流:4.2A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI3454DV
- 商品编号
- C3280204
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 460pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款60 V P沟道MOSFET采用高压POWERTRENCH工艺，针对电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 4.2 A,30 V。VGS = 10 V时,RDS(ON) = 65 mΩ
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 95 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 低栅极电荷(典型值9.4 nC)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- DC-DC转换器-负载开关-电源管理