FDC633N
N沟道,电流:5.2A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC633N
- 商品编号
- C3280199
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 538pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 226pF |
商品概述
RM2003采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，以及用于许多其他应用。
商品特性
- 5.2 A,30 V。VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 0.042 Ω;VGS = 2.5 V时,RDS(ON) = 0.054 Ω。
- SuperSOT - 6封装设计,采用铜引脚框架,具备卓越的热性能和电气性能。
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力。