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SQ2315ES-T1_BE3
汽车级P沟道12V MOSFET,电流:-5A,耐压:-12V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ2315ES-T1_BE3
- 商品编号
- C3280175
- 商品封装
- SOT-23-3(TO-236-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 335pF |
商品概述
RM2312采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 4.5A
- 在VGS = 1.8V时，RDS(ON) < 45 mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 40 mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 33 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理
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