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IRLMS6802TRPBF
1个P沟道 耐压:20V 电流:5.6A
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- 描述
- 这些P沟道MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于电池和负载管理应用。采用定制化引线框架的Micro6封装打造出的HEXFET功率MOSFET，其导通电阻（RDS(on)）比同等尺寸的SOT - 23封装低60%
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLMS6802TRPBF
- 商品编号
- C3280193
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.079nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
这些P沟道MOSFET采用先进的处理技术,以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极其高效的器件,可用于电池和负载管理应用。 Micro6TM封装采用定制化引线框架,生产出的HEXFET®功率MOSFET的导通电阻(RDS(on))比同等尺寸的SOT - 23封装低60%。该封装非常适合印刷电路板空间有限的应用。独特的散热设计和导通电阻的降低使得与SOT - 23封装相比,电流处理能力提高了近300%。
商品特性
-超低导通电阻-表面贴装-提供卷带包装-无铅
应用领域
- PWM应用
- 负载开关