SQ2398ES-T1_BE3
汽车级N沟道100V MOSFET,电流:1.67A,耐压:100V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ2398ES-T1_BE3
- 商品编号
- C3280179
- 商品封装
- SOT-23-3(TO-236-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.67A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 152pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电池充电、电源管理功能、DC-DC转换器、负载开关。
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 进行100%栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准且无卤
- N沟道MOSFET
应用领域
- 电池充电-电源管理功能-DC-DC转换器-负载开关