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SQ2318AES-T1_BE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ2318AES-T1_BE3
- 商品编号
- C3280170
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 553pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 99pF |
商品概述
XP151A11B0MR-G是一款N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。 由于能够实现高速开关，因此可以高效设置该IC，从而节省能源。 为了抗静电，内置了栅极保护二极管。 小型SOT-23封装可实现高密度安装。
商品特性
- 低导通电阻：Rds(on) = 0.12Ω@ Vgs = 10V
- Rds(on) = 0.17 Ω @ Vgs = 4.5V
- 超高速开关
- 内置栅极保护二极管
- 驱动电压：4.5V
- N沟道功率MOSFET
- DMOS结构
- 小型封装：SOT-23
- 环保：符合欧盟RoHS标准，无铅
应用领域
- 笔记本电脑
- 手机和便携式电话
- 车载电源
- 锂离子电池系统
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