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NTR4503NT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:2A
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- 描述
- 特性：领先的平面技术，实现低栅极电荷和快速开关。 额定电压4.5V，适用于低电压栅极驱动。 SOT-23表面贴装，占位面积小（3 x 3mm）。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换。 便携式设备的负载/电源开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR4503NT1G
- 商品编号
- C3280169
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 730mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品特性
- 领先的平面技术,实现低栅极电荷/快速开关
- 额定电压4.5 V,适用于低电压栅极驱动
- SOT - 23表面贴装,占用空间小(3 x 3 mm)
- NV前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC转换-便携式设备的负载/电源开关-计算机设备的负载/电源开关