FDN361AN
N沟道,电流:1.8A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN361AN
- 商品编号
- C3280168
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺制造，该工艺针对导通电阻（rDS(on)）、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 6.5 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 23 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 6.0 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 36 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻（rDS(on)）
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 快速开关速度
- 100%通过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主DC-DC开关