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DMN2040U-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN2040U-13

1个N沟道 耐压:20V 电流:6A

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描述
新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN2040U-13
商品编号
C3280164
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.053克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.36W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)7.5nC
输入电容(Ciss)667pF@10V
反向传输电容(Crss)83pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

优惠活动

  • 6.6

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    (10000个/圆盘,最小起订量 5 个)
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