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DMN10H700S-7
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.7A
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- 描述
- 这款新一代 MOSFET 旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持出色的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H700S-7
- 商品编号
- C3280130
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-小尺寸表面贴装封装-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,为“绿色”器件-通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理功能-电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等