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ACMSN2312T-HF实物图
  • ACMSN2312T-HF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ACMSN2312T-HF

N沟道,电流:4.9A,耐压:20V

品牌名称
Comchip(典琦)
商品型号
ACMSN2312T-HF
商品编号
C3280142
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.9A
导通电阻(RDS(on))85mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)750mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)14nC@4.5V
输入电容(Ciss)500pF
反向传输电容(Crss)140pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这款N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻,从而带来卓越的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量,其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计,如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关,以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

  • 先进的沟槽工艺技术。
  • 更低的导通电阻。
  • 可靠且耐用。
  • 静电敏感器件。
  • 通过AEC-Q101认证。

应用领域

  • 开关稳压器
  • 开关转换器
  • 电机驱动器
  • 继电器驱动器
  • 低压总线开关
  • 便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF