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DMN60H080DS-7
1个N沟道 耐压:600V 电流:80mA
- 描述
- 这新一代产品采用先进的平面技术MOSFET，具备出色的高电压性能和快速开关特性，非常适合小信号和电平转换应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN60H080DS-7
- 商品编号
- C3280143
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.2pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低RDS(ON)
- 低栅极电荷 符合RoHS 2.0标准且无卤
应用领域
- 该器件非常适合用作负载开关