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ZXMN2F30FHQTA
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.9A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下领域：LED照明
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN2F30FHQTA
- 商品编号
- C3280151
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V；65mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 452pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 102pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于负载开关、DC - DC转换器和电源管理功能。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-LED照明-便携式设备充电应用-DC-DC转换器-电机控制