温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ZXMN2F30FHQTA
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下领域：LED照明
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN2F30FHQTA
- 商品编号
- C3280151
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V；65mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 452pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 102pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于负载开关、DC - DC转换器和电源管理功能。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 栅极具备静电放电（ESD）保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤和无锑，“绿色”器件
- DMN3028LQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 负载开关-DC-DC转换器-电源管理功能