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AOSS21311C
1个P沟道 耐压:30V
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- 描述
- Trench Power MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS 2.0和无卤标准
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOSS21311C
- 商品编号
- C3280149
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
RM2304采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 3.6 A
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 73 mΩ
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 58 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-该器件非常适合用作负载开关