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AOSS62934
1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
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- 描述
- 采用沟槽功率AlphaSGTTM技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。针对快速开关应用进行优化。符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOSS62934
- 商品编号
- C3280138
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19pF |
商品概述
RM3400采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 5.8A
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 59mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 45mΩ
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 41mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
- 无卤素