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DMPH4029LFGQ-7
1个P沟道 耐压:40V 电流:8A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，并提供生产件批准程序（PPAP）文件支持。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMPH4029LFGQ-7
- 商品编号
- C3279395
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08865克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.626nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 107pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管（TrenchFET）第四代功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 集成MOSFET半桥功率级
- 优化的Qgs/Qgd比可改善开关特性
应用领域
- 负载点（POL）
- 同步降压转换器
- 电信DC/DC转换器
- 谐振转换器
- 电机驱动控制