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SIZ256DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:70V 电流:31.8A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV power MOSFETs。100% Rg and UIS tested。Integrated MOSFET half bridge power stage。Optimized Qgs / Qgs ratio improves switching characteristics。应用：POL Synchronous buck converter。Telecom DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZ256DT-T1-GE3
- 商品编号
- C3279428
- 商品封装
- PowerPAIR-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.183333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@3.3V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于背光照明、电源管理功能和DC-DC转换器。
商品特性
- 沟槽场效应晶体管(TrenchFET)第四代功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 集成MOSFET半桥功率级
- 优化的Qgs/Qgd比可改善开关特性
应用领域
- 负载点(POL)
- 同步降压转换器
- 电信DC/DC转换器
- 谐振转换器
- 电机驱动控制
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