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SQS460EN-T1_BE3
汽车级MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:8A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。AEC-Q101合格。100% Rg和UIS测试。材料分类：有关合规性定义请参考相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQS460EN-T1_BE3
- 商品编号
- C3279450
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0702克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 755pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 113pF |
商品概述
汽车级N沟道60 V(D-S)、175 °C MOSFET,PowerPAK 1212-8在小封装中提供超低热阻,非常适合空间受限的应用。PowerPAK 1212-8封装是PowerPAK SO-8的派生封装。它采用相同的封装技术,最大限度地增大了芯片面积。芯片焊盘底部外露,为器件所安装的基板提供直接的低电阻热通路。PowerPAK 1212-8的占位面积与TSOP-6相当。它比标准TSSOP-8小40%以上。其芯片容量是标准TSOP-6的两倍多。其热性能比SO-8好一个数量级,比TSSOP-8好20倍。它的热性能优于市场上所有现有的表面贴装封装。它能充分利用印刷电路板的散热能力。与TSSOP-8相比,降低结温还能使芯片效率提高约20%。对于通常仅出于散热考虑而需要更大封装的应用,PowerPAK 1212-8是一个不错的选择。单通道和双通道PowerPAK 1212-8的引脚排列与单通道和双通道PowerPAK SO-8相同。PowerPAK高度仅1.05 mm,这两种版本都是空间受限应用的理想选择。
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准且无卤
- N沟道MOSFET
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