SISS78LDN-T1-GE3
N沟道,电流:66.7A,耐压:70V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS78LDN-T1-GE3
- 商品编号
- C3279463
- 商品封装
- PowerPAK1212-8SH
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS × Qoss FOM进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- DC/DC转换拓扑
- 总线转换器
- 同步整流
- 初级侧开关
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