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SIJH112E-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:225A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 完全无铅（Pb）器件。 优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率，降低开关相关功率损耗。 最大连续漏极电流高达200 A。 比D²PAK（TO-263）小50%的占位面积。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 OR-ing
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJH112E-T1-GE3
- 商品编号
- C3279480
- 商品封装
- PowerPAK-5(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 225A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管(TrenchFET)第四代功率MOSFET
- 完全无铅(Pb)器件
- 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率可降低开关相关的功率损耗
- 最大连续漏极电流高达200 A
- 占位面积比D2PAK(TO - 263)小50%
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-同步整流-或门功能-电机驱动控制-电池管理
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