SIA938DJT-T1-GE3
双N沟道,电流:4.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA938DJT-T1-GE3
- 商品编号
- C3279493
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6-Dual
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 425pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 在超紧凑封装尺寸下具备极低的导通电阻(RDS(on))和出色的导通电阻与栅极电荷乘积品质因数(RDS × Qg FOM)
- 紧凑且散热增强型封装
- 为电源管理设计提供卓越的通用性
应用领域
-同步整流-半桥功率级-DC/DC转换器-电池管理-负载开关
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