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SIR438DP-T1-GE3
N沟道 MOSFET,电流:60A,耐压:25V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR438DP-T1-GE3
- 商品编号
- C3279507
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 445pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.14nF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- TrenchFET 第三代功率 MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行雪崩测试
应用领域
-服务器-低端
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