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SQJ460AEP-T2_GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQJ460AEP-T2_GE3

汽车级N沟道60V MOSFET,电流:58A,耐压:60V

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQJ460AEP-T2_GE3
商品编号
C3279517
商品封装
PowerPAK-SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)58A
导通电阻(RDS(on))9.4mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)68W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)106nC@10V
输入电容(Ciss)2.654nF
反向传输电容(Crss)148pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)353pF

数据手册PDF

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