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SIR638ADP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:53A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR638ADP-T1-RE3
- 商品编号
- C3279537
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.65nF |
商品特性
- 第四代TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- Qgd/Qgs比 < 1,优化开关特性
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-同步整流-或门功能-高功率密度DC/DC-电压调节模块和嵌入式DC/DC-DC/AC逆变器-负载开关
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