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SQJ186EP-T1_GE3实物图
  • SQJ186EP-T1_GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQJ186EP-T1_GE3

汽车级N沟道80V MOSFET,电流:60A,耐压:80V

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQJ186EP-T1_GE3
商品编号
C3279543
商品封装
PowerPAK-SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V
耗散功率(Pd)135W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)1.942nF@25V
反向传输电容(Crss)17pF@25V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品特性

  • 沟道型场效应晶体管(TrenchFET)第四代功率MOSFET
  • 极低的导通电阻(RDS)-栅极电荷(Qg)品质因数(FOM)
  • 针对最低的导通电阻(RDS)-输出电容电荷(Qoss)品质因数进行优化
  • 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试

应用领域

  • 同步整流
  • 原边开关
  • DC/DC转换器
  • 太阳能微型逆变器
  • 电机驱动开关
  • 电池和负载开关
  • 工业应用

数据手册PDF