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SI7157DP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7157DP-T1-GE3
- 商品编号
- C3279562
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 61.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 305nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 22nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 415pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 电源
- 电机驱动控制
- 电池和负载开关
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