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SIDR608EP-T1-RE3
N沟道,电流:228A,耐压:45V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR608EP-T1-RE3
- 商品编号
- C3279573
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8DC
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 228A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 167nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟道型场效应晶体管第四代功率MOSFET
- 漏源击穿电压45 V
- 针对低栅极电荷(Qg)和输出电容电荷(Qoss)进行优化
- 100%进行浪涌电流(Rq)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度直流-直流转换
- 电机驱动控制
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