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AUIRFN7107TR
汽车级,电流:75A,耐压:75V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRFN7107TR
- 商品编号
- C3279594
- 商品封装
- PQFN(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.001nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 371pF |
商品概述
这款超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh K5 技术设计。其成果是显著降低了导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 业界最低的 RDS(on) 与面积乘积
- 业界最佳品质因数 (FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用