IRF7465PBF
N沟道,电流:1.9A,耐压:150V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7465PBF
- 商品编号
- C3279760
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF@0V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些额定电压为100V的N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过专门优化，可在最大限度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。 这些器件专为在极小的占位面积内实现出色的功率耗散而设计，适用于采用体积更大、成本更高的SO - 8和TSSOP - 8封装不切实际的应用场景。
商品特性
- 0.6 A，100 V。VGS = 10 V时，RDS(ON) = 500 mΩ
- VGS = 6.0 V时，RDS(ON) = 550 mΩ
- 低栅极电荷（典型值3.7nC）
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
应用领域
- 负载开关-电池保护-电源管理