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IRF7834PBF实物图
  • IRF7834PBF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF7834PBF

MOSFET,电流:19A,耐压:30V

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商品型号
IRF7834PBF
商品编号
C3279765
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.172克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)19A
导通电阻(RDS(on))4.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2.25V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)29nC@4.5V
输入电容(Ciss)3.71nF
反向传输电容(Crss)350pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)810pF

商品概述

这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对“低端”同步整流器操作进行了优化,在小封装中提供极低的RDS(ON)。

商品特性

  • 13 A、40 V,在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 10.5 mΩ
  • 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
  • 高功率和电流处理能力
  • 快速开关(Qg = 30 nC)
  • FLMP SO - 8封装:在行业标准封装尺寸下具有增强的热性能

应用领域

  • 同步整流器-DC/DC转换器

数据手册PDF