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STS7P4LLF6
1个P沟道 耐压:40V 电流:7A
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- 描述
- P沟道40 V、0.0175 Ohm典型值、7 A STripFET F6功率MOSFET，SO-8封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS7P4LLF6
- 商品编号
- C3279767
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
该器件是一款采用STripFET F6技术开发的P沟道功率MOSFET,具有新型沟槽栅极结构。由此制成的功率MOSFET在所有封装中均呈现极低的RDS(ON)。
商品特性
-极低的导通电阻-极低的栅极电荷-高雪崩耐用性-低栅极驱动功率损耗
应用领域
-开关应用