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BF2030-E6327实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BF2030-E6327

N沟道,电流:40mA,耐压:8V

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商品型号
BF2030-E6327
商品编号
C3280020
商品封装
SOT-143(SC-61)​
包装方式
编带
商品毛重
0.071克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)10V
连续漏极电流(Id)40mA
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)200mW
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)2.8pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道

商品概述

基于先进耐用技术(ART),这款700 W LDMOS射频功率晶体管专为覆盖工业、科学和医疗(ISM)、广播和非蜂窝通信等广泛应用而设计。该非匹配晶体管的频率范围为1 MHz至450 MHz。

商品特性

  • 适用于低噪声、高增益可控输入级,频率高达1GHz
  • 工作电压5V
  • 无铅(符合RoHS标准)封装
  • 符合AEC Q101标准

应用领域

  • 工业、科学和医疗应用
    • 等离子发生器
    • 磁共振成像(MRI)系统
    • 二氧化碳(CO₂)激光器
    • 粒子加速器
  • 广播
    • 调频(FM)广播
    • 甚高频(VHF)电视
  • 通信
    • 非蜂窝通信
    • 超高频(UHF)雷达

数据手册PDF